Tres implementacions de MicroLED
Jun 11, 2018
MicroLED actualment coneix tres processos i s'espera que utilitza la tecnologia de transferència de cinema més ràpid
El procés de tecnologia de MicroLED es pot dividir en xip-nivell soldadura epitaxial soldadura i cinema transferència segons mètodes diferents implementació:
Xip-Unió (Unió xip): el LED és directament tallat en trossos de Microordinador escala MicroLED, i llavors tecnologia SMT o COB tecnologia s'utilitza per connectar xips de Microordinador escala MicroLED un per un al substrat d'exhibició.
Vinculació epitaxial hòsties: inductivament juntament Plasma Ion aiguafort (ICP) a la capa epitaxial fina pel·lícula d'un LED a directament des d'una estructura micro-escala micro-LED epitaxial capa fina i llavors la neula LED (inclosa la capa epitaxial i el substrat) Directament enllaçats en el substrat de circuit d'empenta, i finalment el substrat és despullat utilitzant un mecanisme físic o químic, deixant només el Micro-LED epitaxial pel·lícula prima estructura del substrat de circuit d'empenta per formar l'element d'exhibició.
Prima la transferència de la pel·lícula: MicroLED nivell Micro epitaxial capa fina estructura està formada per trobat el substrat LED per portar una capa de pel·lícula prima epitaxial LED amb un substrat temporal i llavors aiguafort inductiu de plasma; o mitjançant espectroscòpia juntament aiguafort de ions de plasma per formar una mida micron MicroLED epitaxial pel·lícula prima. L'estructura, per trobat el substrat LED, porta l'estructura de pel·lícula prima epitaxial LED a través del substrat temporal.
Figura: trets de tecnologia de procés diferents de microLED
Actualment, les aplicacions de pantalla gran microLED representades per Sony principalment adoptar el mètode de soldadura xip nivell; mentre que Apple està promovent la tecnologia de pel·lícula prima de transferència, que és més adequat per a pantalles petites i mitjanes. Aquí presentem només la pel·lícula transferència tecnologia que Apple adoptarà: flux de MicroLED pel·lícula transferència tecnologia pot ser descrit simplement com 1) preparació xip MicroLED; 2) MicroLED transferència xip; 3) muntar la TFT de substrat i conductor IC per completar el paquet de producte.
MicroLED preparació de xip, xip Ditada procés és la tendència
El procés de preparació de fitxes de MicroLED és similar a la dels tradicionals LED xips. El tros de llum blau-verd només s'utilitza com a exemple per introduir el procés de producció: xips de LED són produïts mitjançant la realització de processos tècnics com substrat patró PSS, creixement epitaxial LED i xip de processament en un material de substrat Safir. Xips MicroLED són molt més petit (uns micres) a mida que ordinari LED xips, però la tecnologia d'aiguafort existent pot manejar xips micròmetre nivell completament, i no hi ha cap dificultat important tècnicament. La següent és una introducció breu a cada enllaç de creixement de xip LED:
Hòsties epitaxial del creixement de substrat Safir (xip de LED LED blau-verd)
En primer lloc, el material de safir és amb dibuixos del substrat PSS. El propòsit d'aquest pas és realitzar múltiples reflexos de la llum en el substrat per gravat un con regularment disposa a la superfície del substrat Safir per aconseguir l'extracció de llum externa del xip. Eficiència de llum. Després, una capa intermèdia undoped (U-GaN), un Nitrur de gal·li de tipus-N (N-GaN), una capa activa (MQWs, un pou quàntic múltiples) i una capa de Nitrur de gal·li de tipus P (P-GaN) es cultiven seqüencialment en la capa PSS. ).
